23NM60ND Mosfet N-ch 600V 19.5A 25032105

MOSFET หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ TO-247-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel Vds - แรงดันพังทลายระหว่าง Drain และ Source: 600 V Id - กระแสไฟเดรนอย่างต่อเนื่อง: 19.5 A Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source 180 mOhms Vgs - แรงดันไฟฟ้า Gate-Source: 25 V อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 55 C อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 C Pd - กำลังงานสูญเสีย: 150 วัตต์ ความสูง: 20.15 มม ความยาว: 15.75 มม ชุด: STW23NM60ND ประเภททรานซิสเตอร์: 1 N-Channel ความกว้าง: 5.15 มม