SGTQ160V65SDB1APW Q160V65SDB1A 160A650V TO-247IGBT แบบไม่มีรู (ใช้เเทนFGY100T60ได้)

🔧 รายละเอียดทางเทคนิคหลัก ประเภท: ทรานซิสเตอร์ IGBT แบบ N-channel พร้อมไดโอดชนิด anti-parallel ในตัว แพ็คเกจ: TO-247P แรงดัน Collector-Emitter (V_CE): 650 โวลต์ กระแส Collector ต่อเนื่อง (I_C): 160 แอมป์ (ปกติ), สูงสุด 400A ที่ 25°C แรงดัน Gate-Emitter (V_GE): ±20 โวลต์ กำลังสูญเสียรวม (P_C): 882 วัตต์ แรงดัน V_CE(sat) (อิ่มตัว): 1.42 โวลต์ (ทั่วไปที่ 25°C) แรงดันเปิดเกต (V_GE(th)): 6.8 โวลต์ ประจุเกตรวม (Q_g): 750 nC ค่าความจุขาออก (C_oes): 498 pF เวลาลุก (Rise time): 62 ns อุณหภูมิรอยต่อสูงสุด (T_j): 175°C ⚙️ จุดเด่นและการใช้งาน ใช้เทคโนโลยี Trench Field Stop (TrenchFS) ทำให้สูญเสียกำลังน้อยทั้งขณะนำกระแสและสวิตชิ่ง มี ไดโอดในตัวแบบ soft-fast recovery ลด EMI และช่วยให้วงจรทำงานลื่น เหมาะสำหรับ: • ระบบขับมอเตอร์ในรถยนต์ไฟฟ้า (EV) • อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ • ระบบสำรองไฟ (UPS) • ระบบควบคุมอุตสาหกรรม, HVAC รองรับการทำงานที่ ความเร็วสูง และ ถ่ายเทความร้อนได้ดี