MB85RC256V หน่วยความจำ 32KB I2C บอร์ดฝ่าวงล้อม Fram ที่ไม่ผันผวนสำหรับการตรวจสอบอุณหภูมิการบันทึกข้อมูลข้อมูล

1. Fram ไม่ระเหยและสามารถอ่าน/เขียนได้อย่างง่ายดาย 10 ล้านล้านครั้ง 2. มันคล้ายกับหน่วยความจำแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) เฉพาะกับชั้น ferroelectric แทนที่จะเป็นเลเยอร์อิเล็กทริก 3. เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับตัวบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับข้อมูลบัฟเฟอร์ในกรณีที่ไม่มีแหล่งแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร 4. ชิป Fram ที่ใช้ให้หน่วยความจำ 8 kb และใช้นาฬิกาสูงสุด 20 MHz 5. แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะรักษาหน่วยความจำเป็นเวลา 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง ข้อมูลจำเพาะ: คุณสมบัติ:  Fram ไม่ระเหยและสามารถอ่าน/เขียนได้อย่างง่ายดาย 10 ล้านล้านครั้ง มันคล้ายกับหน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) เฉพาะกับชั้น ferroelectric แทนที่จะเป็นเลเยอร์อิเล็กทริก มันเหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับเครื่องบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับข้อมูลบัฟเฟอร์ในกรณีที่ไม่มีแหล่งแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร ชิป Fram ที่ใช้ให้หน่วยความจำ 8 kb และใช้นาฬิกาสูงสุด 20 MHz แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะรักษาหน่วยความจำเป็นเวลา 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง ข้อมูลจำเพาะ: เงื่อนไข: ใหม่เอี่ยม 100% Addr: 1010+A2+A1+A0 ค่าเริ่มต้น: 0 x 50 VCC/Logic: 2.7-5.5V รายการแพ็คเกจ: บอร์ดฝ่าวงล้อม Fram 1 x