1 ~ 5 PCS C005 มัลติฟังก์ชั่น Delay Trigger Timing ชิปโมดูลจับเวลา IC Timing 2s - 1000h

ชิปจับเวลาหน่วงเวลาล่าช้าพร้อมการตั้งเวลาที่ปรับได้ (1~5 ชิ้น) คำอธิบายฟังก์ชัน: วงจรที่เชื่อมต่อตามต้องการด้วยตัวต้านทานตั้งเวลาและกำหนดค่าแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ เอาท์พุทยังคงอยู่ในระดับสูงก่อนที่จะเรียกใช้พลังงานขึ้น เรียกใช้โดยการตกขอบที่หมุดทริกเกอร์: เอาท์พุทจะเปลี่ยนเป็นระดับต่ำทันทีและเริ่มเวลา เอาท์พุทกลับสู่ระดับสูงหลังจากเวลาผ่านไปที่กำหนดรอทริกเกอร์ตกขอบถัดไป ไม่สามารถเรียกคืนได้: ทริกเกอร์ใด ๆ ในระหว่างช่วงเอาต์พุตต่ำจะไม่ถูกต้อง. "ขอบล้ม" = เปลี่ยนจากสูงเป็นต่ำทันที = "ขอบล้ม" = เปลี่ยนจากสูงเป็นต่ำทันที แรงดันไฟฟ้า VCC ของแรงดันไฟฟ้า VCC ระดับสูง ระดับต่ำ = 0–0.3V หรือ GND แหล่งที่มาของทริกเกอร์: แทคสลับไปที่ GND, MCU I / O หรือวงจรดิจิตอลที่สร้างขอบล้ม ทริกเกอร์เปิดเครื่อง: หมุดทริกเกอร์สั้น ๆ ถึง GND →ทริกเกอร์ทันทีที่เปิดเครื่อง เอาต์พุตจะกลับมาสูงหลังจากสิ้นสุดเวลา คุณสมบัติชิปชิป: การใช้พลังงานต่ำ (กระบวนการ CMOS) เอาต์พุตต่ำ: ไดรฟ์ LED โดยตรง (ตัวต้านทาน จำกัด กระแสไฟฟ้า) เอาต์พุตสูง: ทรานซิสเตอร์ไดรฟ์ (ตัวต้านทาน จำกัด กระแส) เวลาที่ปรับได้ผ่านตัวต้านทาน: ช่วง 2 วินาที - 1000 ชม. พร้อมตัวคูณ 8 × N (N = 0,1,2,3) รองรับการเรียกเวลาหรือเวลาเปิดเครื่อง (หมุดทริกเกอร์สั้นเป็น GND) เอาต์พุตสแตนด์บาย: สูง เอาต์พุตที่เรียกใช้: →ต่ำกลับสูงหลังจากล่าช้า คำอธิบายพิน (ด้านล่างขึ้นบน): PIN1 = วี - (GND) PIN2 = ทริกเกอร์ PIN3 = เอาท์พุท PIN4 = V+ (VCC) แผ่น P1 สั้น P1 สั้น: เวลา = ค่าตัวต้านทาน× 8 แผ่น P2 สั้น: เวลา = ค่าตัวต้านทาน× 64 สั้นทั้ง P1 + P2 แผ่น: Time = ค่าตัวต้านทาน× 512 พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า: ดูแผนภาพหลัก เวลาเทียบกับเวลา ตารางความต้านทาน (ดูแผนภาพหลัก): * หมายเหตุ: ผลการทดสอบความถี่ตัวต้านทานภายนอกใช้สำหรับอ้างอิง เวลาจริงอาจแตกต่างกันไปตามชุดการผลิตแรงดันไฟฟ้า VDD ความทนทานต่อตัวต้านทานและโหลด ความถี่ออสซิลเลเตอร์เกิน 6KHz–600KHz อาจทำให้เกิดความไม่เสถียร ทดสอบแล้ว: ตัวต้านทาน 0Ω + ความล่าช้า 5V VDD≈ 2s ตารางไม่รวมเวลาหน่วงเวลา 5V * ตารางไม่รวมเวลาหน่วงเวลา 5V ที่ VCC = 5V และตัวต้านทาน = 0Ω, ความล่าช้าที่วัดได้ 2s ตารางแผนภาพหลัก หมายถึง ตารางแผนภาพหลัก*