IRFP4110 / IIRFP4110 N-Channel MOSFET (ของแท้ชิพใหญ่)ซ่อมหรืออัพเกรดSTEP UP 1200wและ1800Wราคาต่อ1ชิ้น

IRFP4110 / IIRFP4110 N-Channel MOSFET (TO-247) ทรานซิสเตอร์กำลังสูง สำหรับงานสวิตชิ่งและงานภาคจ่ายไฟ กระแสแรง ทนทาน เหมาะกับงานอินเวอร์เตอร์ เพาเวอร์ซัพพลาย แอมป์ และงาน DIY อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง คุณสมบัติเด่น ชนิด : N-Channel MOSFET ค่า Rds(on) ต่ำเพียง ≤ 4.5mΩ ทดสอบ Avalanche 100% ค่าการสูญเสียต่ำ ประสิทธิภาพสูง รองรับงานความถี่สูง และงานสวิตชิ่งหนัก เสถียร ทนทาน ใช้งานได้ยาวนาน ค่าพิกัดสูงสุด (Absolute Maximum Ratings) แรงดัน Drain-Source (Vds) : 100V แรงดัน Gate-Source (Vgs) : ±20V กระแสต่อเนื่อง (Id) : 120A กระแสพัลส์ (Idm) : 670A กำลังสูญเสีย (Pd) : 370W อุณหภูมิ Junction สูงสุด : 175°C ค่าความต้านทานความร้อน Rth(j-c) : 0.402 °C/W Rth(j-a) : 40 °C/W รูปแบบขา (TO-247) Gate Drain Source เหมาะสำหรับใช้งาน อินเวอร์เตอร์ 12V / 24V / 48V SMPS (Switching Power Supply) เครื่องเชื่อมอินเวอร์เตอร์ วงจรแอมป์กำลังสูง รถไฟฟ้า / มอเตอร์คอนโทรล งาน DIY อิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง IRFP4110 Product details Description： This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)<4.5mΩ@VGS=10V 2) Low gate charge. 3) Green device available. 4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON). 5) Excellent package for good heat dissipation. รายละเอียดผลิตภัณฑ์ IRFP4110 คำอธิบาย： N-Channel MOSFET นี้ใช้เทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงและ การออกแบบเพื่อให้ RDS(on) ที่ยอดเยี่ยมด้วยประจุเกตต่ำ สามารถใช้ได้ในแอพพลิเคชั่นที่หลากหลาย คุณสมบัติ： 1) VDS=100V, ID=180A, RDS(ON)<4.5mΩ@VGS=10V 2) ประจุเกตต่ำ 3) มีอุปกรณ์สีเขียวให้เลือกใช้ 4) เทคโนโลยีร่องลึกความหนาแน่นเซลล์สูงขั้นสูงสำหรับ RDS(ON) ระดับสูง 5) แพ็คเกจที่ยอดเยี่ยมสำหรับการกระจายความร้อนที่ดี