MB85RC256V หน่วยความจำ 32KB I2C Non Volatile FRAM Breakout Board Professional

1. FRAM ไม่ลบเลือนและสามารถอ่าน/เขียนได้ง่ายถึง 10 ล้านล้านครั้ง 2. คล้ายกับ Dynamic Random-access Memory (DRAM) เพียงแต่มีชั้นเฟอร์โรอิเล็กทริกแทนที่จะเป็นชั้นอิเล็กทริก 3. เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับเครื่องบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับการบัฟเฟอร์ข้อมูลในกรณีที่ไม่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร 4. ชิป FRAM ที่ใช้มีหน่วยความจำ 8 KB และใช้สัญญาณนาฬิกาสูงสุด 20 MHz 5. แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะเก็บหน่วยความจำไว้ได้นาน 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง ข้อมูลจำเพาะ: คุณสมบัติ:  FRAM นั้นไม่ลบเลือนและสามารถอ่าน/เขียนได้ง่ายถึง 10 ล้านล้านครั้ง คล้ายกับหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) โดยมีชั้นเฟอร์โรอิเล็กทริกเท่านั้นแทนที่จะเป็นชั้นอิเล็กทริก เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับเครื่องบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับการบัฟเฟอร์ข้อมูลในกรณีที่ไม่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร ชิป FRAM ที่ใช้มีหน่วยความจำ 8 KB และใช้สัญญาณนาฬิกาสูงสุด 20 MHz แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะเก็บหน่วยความจำไว้ได้นาน 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง ข้อมูลจำเพาะ: สภาพ: ใหม่เอี่ยม 100% สารเสริม: 1010+A2+A1+A0 ค่าเริ่มต้น: 0 x 50 VCC/ลอจิก: 2.7-5.5V รายการแพ็คเกจ: 1 x คณะกรรมการฝ่าวงล้อม FRAM